STMicroelectronics представляет новый силовой модуль MasterGaN4 для преобразования мощности до 200 Вт

STMicroelectronics MasterGaN4

Чтобы упростить конструирование высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4, объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с сопротивлениями открытых каналов 225 мОм, а также оптимизированные драйверы затворов и схемы защиты.

STMicroelectronics представляет новый силовой модуль MasterGaN4 для преобразования мощности до 200 Вт

Последнее дополнение к семейству MasterGaN компании ST упрощает проектирование с использованием широкозонных мощных GaN полупроводниковых приборов, устраняя сложные проблемы управления затвором и трассировки печатных плат. Благодаря широкому диапазону входных напряжений от 3.3 В до 15 В, MasterGaN4 можно подключать непосредственно к датчикам Холла или к КМОП устройствам, таким как микроконтроллеры, ЦСП или ПЛИС.

Используя более высокие рабочие частоты, обеспечиваемые превосходными коммутационными характеристиками GaN транзисторов, а также их повышенный КПД, снижающий выделение тепла, разработчики могут выбирать небольшие магнитные компоненты и радиаторы для создания более компактных и легких источников питания, зарядных устройств и сетевых адаптеров. MasterGaN4 идеально подходит для использования в симметричных полумостовых топологиях, а также в топологиях с мягкой коммутацией, таких как обратно- и прямоходовые преобразователи с активным ограничением.

Широкий диапазон питающих напряжений от 4.75 В до 9.5 В обеспечивает удобное подключение к существующим шинам питания. Еще больше упрощают работу конструктора встроенные элементы защиты, включающие блокировки драйверов затворов, блокировку верхнего и нижнего плеч при пониженном напряжении и защиту от перегрева. Имеется также отдельный вывод выключения.

В дополнение к новому модулю ST представляет специальную прототипную плату EVALMASTERGAN4, предоставляющую полный набор функций для управления MasterGaN4 одиночным или комплементарным сигналом. Имеется также возможность управления генератором мертвого времени. Плата дает пользователям возможность гибко использовать отдельный входной сигнал или сигнал ШИМ, добавлять внешний бутстрепный диод, разделять шины питания логики и драйвера затвора, а также включать токоизмерительный резистор в нижнее плечо для топологий с управлением по пиковому току.

STMicroelectronics представляет новый силовой модуль MasterGaN4 для преобразования мощности до 200 Вт Демонстрационная плата EVALMASTERGAN4 для модуля MasterGaN4.

Модули MasterGaN4 выпускаются серийно в корпусах GQFN с размерами 9 мм × 9 мм × 1 мм, имеющих увеличенные до 2 мм промежутки между силовыми выводами для безопасного использования в высоковольтных приложениях. Цены, установленные для одного прибора в партиях из 5000 штук, начинаются от $5.99. Плата EVALMASTERGAN4 стоит $87.00.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: STMicroelectronics Introduces New MasterGaN4 Devices for High-Efficiency Power Conversion up to 200 Watts

Источник: rlocman.ru



Добавить комментарий